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但是靶材制作困难,这是因为氧化铟不容易烧结在一起。一般采用zro2、bi2o3、ceo等作为烧结添加剂,能够获得密度为理论值的93%~98%的靶材,这种方式形成的ito薄膜的性能与添加剂的关系---。日本的科学家采用bizo作为添加剂,bi2o3在820cr熔化,西藏香槟金靶材,在l500℃的烧结温度超出部分已经挥发,这样能够在液相烧结条件下得到比较纯的ito靶材。而且所需要的氧化物原料也不一定是纳米颗粒,这样可以简化前期的工序。







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溅射技术:溅射是制备薄膜材料的主要技术之一,它利用离子源产生的离子,在真空中经过加速---,而形成高速度能的离子束流,轰击固体表面,离子和固体表面原子发生动能交换,使固体表面的原子离开固体并沉积在基底表面,被轰击的固体是制备溅射法沉积薄膜的原材料,称为溅射靶材。各种类型的溅射薄膜材料无论在半导体集成电路、太阳能光伏、记录介质、平面显示以及工件表面涂层等方面都得到了广泛的应用。

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