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而未米的0.18um}艺甚至0.13m工艺,所需要的靶材纯度将要求达到5甚至6n以上。铜与铝相比较,铜具有更高的抗电迁移能力及---的电阻率,能够满足!导体工艺在0.25um以下的亚微米布线的需要但却带米了其他的问题:铜与有机介质材料的附着强度低.并且容易发生反应,导致在使用过程中芯片的铜互连线被腐蚀而断路。

为了解决以上这些问题,需要在铜与介质层之间设置阻挡层。阻挡层材料一般采用高熔点、高电阻率的金属及其化合物,浙江银圆柱靶,因此要求阻挡层厚度小于50nm,与铜及介质材料的附着性能---。铜互连和铝互连的阻挡层材料是不同的.需要研制新的靶材材料。铜互连的阻挡层用靶材包括ta、w、tasi、wsi等.但是ta、w都是难熔金属.制作相对困难,如今正在研究钼、铬等的台金作为替代材料。






加工工业里钼用得更广泛。高温下使用的模具受热、机械交变应力作用导致材料疲劳出现裂纹。而利用热膨胀系数小,导热强、高温强度好的钼或钼基合金,模具寿命大幅度延长。压铸手表壳等精巧零件时,寿命可达5000次,一般为3000次,轴承生产中钨板,银圆柱靶价格,钼板,钨棒,钼棒,钨管,钼管,银圆柱靶报价,钨坩埚,钼坩埚采用钼合金模具比原高速钢、轴承钢模具寿命提高15倍。

各种纯度铝中的杂质含量及剩余电阻率如表2所示。超纯金属超纯的纯度也可以用剩余电阻率来测定,其值约为2×10-5。现代科学技术的发展趋势是对金属纯度要求越来越高。因为金属未能达到一定纯度的情况下,金属特性往往为杂质所掩盖。不仅是半导体材料,其他金属也有同样的情况,由于杂质存在影响金属的性能。

钨过去用作灯泡的灯丝,由于脆性而使处理上有困难,在适当提纯之后,这种缺点即可以克服(钨丝也有掺杂及加工问题)。
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