纯铂靶材-重庆纯铂靶材-沈阳东创精益---

而未米的0.18um}艺甚至0.13m工艺，纯铂靶材生产加工，所需要的靶材纯度将要求达到5甚至6n以上。铜与铝相比较，铜具有更高的抗电迁移能力及---的电阻率，能够满足！导体工艺在0.25um以下的亚微米布线的需要但却带米了其他的问题：铜与有机介质材料的附着强度低．并且容易发生反应，导致在使用过程中芯片的铜互连线被腐蚀而断路。

为了解决以上这些问题，需要在铜与介质层之间设置阻挡层。阻挡层材料一般采用高熔点、高电阻率的金属及其化合物，因此要求阻挡层厚度小于50nm，与铜及介质材料的附着性能---。铜互连和铝互连的阻挡层材料是不同的．需要研制新的靶材材料。铜互连的阻挡层用靶材包括ta、w、tasi、wsi等．但是ta、w都是难熔金属．制作相对困难，如今正在研究钼、铬等的台金作为替代材料。

平面显示器（fpd)这些年来大幅冲击以阴极射线管(crt)为主的电脑显示器及电视机市场，亦将带动ito靶材的技术与市场需求。如今的ito靶材有两种．一种是采用纳米状态的氧化铟混合后烧结，一种是采用铟锡合金靶材。铟锡台金靶材可以采用直流反应溅射制造ito薄膜，重庆纯铂靶材，但是靶表面会氧化而影响溅射率，并且不易得到大尺寸的台金靶材。如今一般采取方法生产ito靶材，利用l}irf反应溅射镀膜．它具有沉积速度快．且能控制膜厚，电导率高，薄膜的一致性好，与基板的附着力强等优点。