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溅射靶材ito靶材的生产工艺 ito靶材的生产工艺可以分为3种:热等静压法(hip)、溅射靶材热压法(hp)和气氛烧结法。各种生产工艺及其特点简介如下:
热等静压法:ito靶材的热等静压制作过程是将粉末或预先成形的胚体,在800℃~1400℃及1000kgf/cm 2~2000kgf/cm 2的压力下等方加压烧结。热等静压工艺制造产品密度高、物理机械性能好,香槟金靶材,但设备投入高,生产成本高,产品的缺氧率高。







精铝经过区熔提纯,只能达到5 的高纯铝,但如使用在有机物电解液中进行电解,可将铝提纯到99.9995%,并可除去有不利分配系数的杂质,然后进行区熔提纯数次,就能达到接近于 7 的纯度,杂质总含量<0.5ppm。这种超纯铝除用于制备化合物半导体材料外,还在低温下有高的导电性能,可用于低温电磁设备。

制备化合物半导体的金属如铟、磷,香槟金靶材报价,可利用氯化物精馏氢还原、电解精炼、区熔及拉晶提纯等方法制备超纯金属,总金属杂质含量为 0.1~1ppm。其他金属如银、金、镉、、铂等也能达到***6 的水平。
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