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在所有应用产业中,半导体产业对靶材溅射薄膜的品质要求是苛刻的。如今12英寸(300衄口)的硅晶片已制造出来.而互连线的宽度却在减小。硅片制造商对靶材的要求是大尺寸、高纯度、低偏析和细晶粒,有银焊料,这就要求所制造的靶材具有---的微观结构。靶材的结晶粒子直径和均匀性已被认为是影响薄膜沉积率的关键因素。另外,薄膜的纯度与靶材的纯度关系---,过99.995%(4n5)纯度的铜靶,或许能够满足半导体厂商0.35pm工艺的需求,但是却无法满足如今0.25um的工艺要求。







磁控溅射靶材种类:金属溅射镀膜靶材,合金溅射镀膜靶材,陶瓷溅射镀膜靶材,硼化物陶瓷溅射靶材,碳化物陶瓷溅射靶材,---物陶瓷溅射靶材,氮化物陶瓷溅射靶材,氧化物陶瓷靶材,合肥银焊料,硒化物陶瓷溅射靶材,硅化物陶瓷溅射靶材,---物陶瓷溅射靶材,碲化物陶瓷溅射靶材,其他陶瓷靶材,掺铬一氧化硅陶瓷靶材(cr-sio),磷化铟靶材(inp),铅靶材(pbas),铟靶材(inas)。

背靶的选择
对材质的要求:一般选用无氧铜和钼靶,厚度在3mm左右
导电性好:常用无氧铜,银焊料,无氧铜的导热性比紫铜好;
强度足够:太薄,易变形,银焊料生产厂家,不易真空密封。
结构要求:空心或者实心结构;
厚度适中:3mm左右,太厚,消耗部分磁强;太薄,容易变形。
铟焊绑定的流程
1.绑定前的靶材和背板表面预处理
2.将靶材和背板放置在钎焊台上,升温到绑定温度
3.做靶材和背板金属化
4.粘接靶材和背板

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