香槟金靶材-东创----海南香槟金靶材

精铝经过区熔提纯，只能达到5 的高纯铝，但如使用在有机物电解液中进行电解，可将铝提纯到99.9995%，并可除去有不利分配系数的杂质，然后进行区熔提纯数次，就能达到接近于 7 的纯度，杂质总含量<0.5ppm。这种超纯铝除用于制备化合物半导体材料外，还在低温下有高的导电性能，可用于低温电磁设备。

制备化合物半导体的金属如铟、磷，可利用氯化物精馏氢还原、电解精炼、区熔及拉晶提纯等方法制备超纯金属，香槟金靶材制造，总金属杂质含量为 0.1～1ppm。其他金属如银、金、镉、、铂等也能达到***6 的水平。

钨-钛（w-ti）膜以及以钨-钛（w-ti）为基的合金膜是高温合金膜，具有一系列的优良性能。钨具有高熔点、高强度和低的热膨胀系数等性能，w/ ti 合金具有低的电阻系数、---的热稳定性能。如各种器件都需要起到导电作用的金属布线，例如al 、cu 和ag 等已经被广泛的应用和研究。但是布线金属本身易 氧化、易与周围的环境发生反应，香槟金靶材，与介质层的粘结性差，海南香槟金靶材，易扩散进入si 与sio2 等器件的衬底材料中，并且在较低的温度下会形成金属与si 的化合物， 充当了杂质的角色，使器件的性能大幅度下降。