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磁控溅射靶材种类：金属溅射镀膜靶材，合金溅射镀膜靶材，陶瓷溅射镀膜靶材，硼化物陶瓷溅射靶材，碳化物陶瓷溅射靶材，---物陶瓷溅射靶材，氮化物陶瓷溅射靶材，金圆柱靶价格，氧化物陶瓷靶材，硒化物陶瓷溅射靶材，硅化物陶瓷溅射靶材，---物陶瓷溅射靶材，碲化物陶瓷溅射靶材，其他陶瓷靶材，金圆柱靶厂，掺铬一氧化硅陶瓷靶材（cr-sio），金圆柱靶报价，磷化铟靶材（inp），铅靶材（pbas），铟靶材（inas）。
各种纯度铝中的杂质含量及剩余电阻率如表2所示。超纯金属超纯的纯度也可以用剩余电阻率来测定，其值约为2×10-5。现代科学技术的发展趋势是对金属纯度要求越来越高。因为金属未能达到一定纯度的情况下，金属特性往往为杂质所掩盖。不仅是半导体材料，阜阳金圆柱靶，其他金属也有同样的情况，由于杂质存在影响金属的性能。
钨过去用作灯泡的灯丝，由于脆性而使处理上有困难，在适当提纯之后，这种缺点即可以克服（钨丝也有掺杂及加工问题）。
热压法：ito靶材的热压制作过程是在石墨或氧化铝制的模具内充填入适当粉末以后，以 100kgf/cm 2～1000kgf/cm 2的压力单轴向加压，同时以1000℃～1600℃进行烧结。热压工艺制作过程所需的成型压力较小，烧结温度较低，烧结时间较短。但热压法生产的ito靶材由于缺氧率高，氧含量分布不均匀，从而影响了生产ito薄膜的均匀性，且不能生产大尺寸的靶。
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