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精铝经过区熔提纯,只能达到5 的高纯铝,但如使用在有机物电解液中进行电解,可将铝提纯到99.9995%,并可除去有不利分配系数的杂质,然后进行区熔提纯数次,就能达到接近于 7 的纯度,杂质总含量<0.5ppm。这种超纯铝除用于制备化合物半导体材料外,纯铂靶材价格,还在低温下有高的导电性能,可用于低温电磁设备。

制备化合物半导体的金属如铟、磷,可利用氯化物精馏氢还原、电解精炼、区熔及拉晶提纯等方法制备超纯金属,纯铂靶材生产加工,总金属杂质含量为 0.1~1ppm。其他金属如银、金、镉、、铂等也能达到***6 的水平。






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众所周知,靶材材料的技术发展趋势与下游应用产业的薄膜技术发展趋势息息相关,随着应用产业在薄膜产品或元件上的技术改进,靶材技术也应随之变化。如ic制造商.近段时间致力于低电阻率铜布线的开发,纯铂靶材技术,预计未来几年将大幅度取代原来的铝膜,这样铜靶及其所需阻挡层靶材的开发将刻不容缓。另外,近年来平面显示器(fpd)大幅度取代原以阴极射线管(crt)为主的电脑显示器及电视机市场.亦将大幅增加ito靶材的技术与市场需求。此外在存储技术方面。高密度、大容量硬盘,高密度的可擦写光盘的需求持续增加.这些均导致应用产业对靶材的需求发生变化。下面我们将分别介绍靶材的主要应用领域,以及这些领域靶材发展的趋势。

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