各种类型的溅射薄膜材料在半导体集成电路(vlsi)、光碟、平面显示器以及工件的表面涂层等方面都得到了广泛的应用。20世纪90年代以来，溅射靶材及溅射技术的同步发展，---地满足了各种新型电子元器件发展的需求。溅射靶材的要求较传统材料行业高，一般要求如，尺寸、平整度、纯度、各项杂质含量、密度、n/o/c/s、晶粒尺寸与缺陷控制。例如，在半导体集成电路制造过程中，以电阻率较低的铜导体薄膜代替铝膜布线：在平面显示器产业中，各种显示技术(如lcd、pdp、oled及fed等)的同步发展，有的已经用于电脑及计算机的显示器制造；在信息存储产业中，磁性存储器的存储容量不断增加，新的磁光记录材料不断推陈出新这些都对所需溅射靶材的提出了越来越高的要求，需求数量也逐年增加。

在储存技术方面，高密度、大容量硬盘的发展，需要大量的巨磁阻薄膜材料，cof~cu多层复合膜是如今应用广泛的巨磁阻薄膜结构。磁光盘需要的tbfeco合金靶材还在进一步发展，用它制造的磁光盘具有存储容量大，---，可反复无接触擦写的特点。稀土金属制取(preparationofrareearthmetal),将稀土化合物还原成金属的过程。如今开发出来的磁光盘，具有tbfeco/ta和tbfeco/al的层复合膜结构，tbfeco/ai结构的kerr旋转角达到58，而tbfecoffa则可以接近0.8。经过研究发现，低磁导率的靶材高交流局部放电电压l抗电强度。

钨-钛（w-ti）膜以及以钨-钛（w-ti）为基的合金膜是高温合金膜，具有一系列的优良性能。钨具有高熔点、高强度和低的热膨胀系数等性能，w/ ti 合金具有低的电阻系数、---的热稳定性能。所述择点测量机构包括一安装在机座上的第二驱动电机、一对安装在所述第二驱动电机上的第二传动轴、一安装在机座上并与所述第二传动轴平行的滑轨及若干安装在滑轨上的测点探针。如各种器件都需要起到导电作用的金属布线，例如al 、cu 和ag 等已经被广泛的应用和研究。但是布线金属本身易 氧化、易与周围的环境发生反应,与介质层的粘结性差,易扩散进入si 与sio2 等器件的衬底材料中，并且在较低的温度下会形成金属与si 的化合物, 充当了杂质的角色,使器件的性能大幅度下降。

镀膜靶材是通过磁控溅射、多弧离子镀或其他类型的镀膜系统在适当工艺条件下溅射在基板上形成各种功能薄膜的溅射源。简单说的话，靶材就是高速荷能粒子轰击的目标材料，用于高能激光中，不同功率密度、不同输出波形、不同波长的激光与不同的靶材相互作用时，会产生不同的---破坏效应。所述导电性泡沫弹性体是通过将导电性材料分散在普通弹性体中以使该弹性体具有导电性，并使用空气或者氮气对弹性体进行机械发泡、或者使用发泡剂进行化学发泡而形成的。例如：蒸发磁控溅射镀膜是加热蒸发镀膜、铝膜等。更换不同的靶材（如铝、铜、不锈钢、钛、镍靶等），即可得到不同的膜系（如超硬、耐磨、防腐的合金膜等）。