现在行业中通用的测量方法基本是手动进行的，其劣势在于手动测试受人为因素 (用力的大小，接触面积等)影响较大，手动测试无法实现同一被测物目标的多次数值的重现，手动测试时只能达到每次测试出来一个数值，无法做产品的分析。此外，---处理后，由于对每个辊筒都进行了剪切，所以基本上不会出现上述差别，这样就可---长度方向的电阻值的不均匀。另外一般的电阻测量仪器受温度和湿度的影响较大，无法测量，导致不能得出的数值，从而不能---广品的品质。

各种类型的溅射薄膜材料在半导体集成电路(vlsi)、光碟、平面显示器以及工件的表面涂层等方面都得到了广泛的应用。根据本发明的一方面，提供了一种导电辊，该导电辊包括导电性芯材，以及包覆于所述导电性芯材的外周的泡沫弹性层。20世纪90年代以来，溅射靶材及溅射技术的同步发展，---地满足了各种新型电子元器件发展的需求。例如，在半导体集成电路制造过程中，以电阻率较低的铜导体薄膜代替铝膜布线：在平面显示器产业中，各种显示技术(如lcd、pdp、oled及fed等)的同步发展，有的已经用于电脑及计算机的显示器制造；在信息存储产业中，磁性存储器的存储容量不断增加，新的磁光记录材料不断推陈出新这些都对所需溅射靶材的提出了越来越高的要求，需求数量也逐年增加。

在储存技术方面，高密度、大容量硬盘的发展，需要大量的巨磁阻薄膜材料，cof~cu多层复合膜是如今应用广泛的巨磁阻薄膜结构。4毫米/分），进行多次区熔，对去除铁、铝、镁、铜、镍等金属杂质有---，但对氧、氮、碳、氢无效。磁光盘需要的tbfeco合金靶材还在进一步发展，用它制造的磁光盘具有存储容量大，---，可反复无接触擦写的特点。如今开发出来的磁光盘，具有tbfeco/ta和tbfeco/al的层复合膜结构，tbfeco/ai结构的kerr旋转角达到58，而tbfecoffa则可以接近0.8。经过研究发现，低磁导率的靶材高交流局部放电电压l抗电强度。