此外，使用混入了导电性填充剂的电子导电性橡胶的导电辊，其电阻值与施加的电压有关，存在电阻值不固定的问题。---是采用碳黑作为导电性填充剂时，这些倾向更明显。

由于使用了电子导电性橡胶的导电辊，不论是采用间歇式制法还是连续---处理法，都存在电阻值不均匀的问题，所以在数字化、彩色化等提高图像的技术日新月异的今天，希望用离子导电性橡胶替代电子导电性橡胶。

区域提纯后的金属锗,其锭底表面上的电阻率为30～50欧姆  厘米时，纯度相当于8～9，可以满足电子器件的要求。但对于杂质浓度小于[kg2]10原子/厘米[kg2]的探测器级超纯锗，则尚须经过特殊处理。

由于锗中有少数杂质如磷、铝、硅、硼的分配系数接近于1或大于1，要加强化学提纯方法除去这些杂质，然后再进行区熔提纯。背靶材料：无氧铜(ofc)–目前常使用的作背靶的材料是无氧铜，因为无氧铜具有---的导电性和导热性，而且比较容易机械加工。电子级纯的区熔锗锭用霍尔效应测量杂质（载流子）浓度，一般可达10～10原子/厘米。经切头去尾，再利用多次拉晶和切割尾，一直达到所要求的纯度（10原子/厘米），这样纯度的锗（相当于13）所作的探测器,其分辨率已接近于理论数值。

工业上大量使用的是工业纯稀土金属，较高纯度的稀土金属主要供测定物理化学性能之用。区域提纯后的金属锗,其锭底表面上的电阻率为30～50欧姆厘米时，纯度相当于8～9，可以满足电子器件的要求。主要有四种提纯方法在试验室中使用，即真空熔融，真空蒸馏或升华，电迁移和区域熔炼。 稀土金属棒在区域熔炼炉中以很慢的速度（如提纯钇时为0.4毫米/分），进行多次区熔，对去除铁、铝、镁、铜、镍等金属杂质有---，但对氧、氮、碳、氢无效。此外，电解精炼、区熔－电迁移联---提纯稀土也有一定效果。

各种类型的溅射薄膜材料在半导体集成电路(vlsi)、光碟、平面显示器以及工件的表面涂层等方面都得到了广泛的应用。王水---溶液的浓缩赶硝故名思议是两段工序，浓缩的目的是将溶液中可在沸腾下挥发的酸和水尽量挥发---，以便适合赶硝的药剂和浓度尽量高的无水---物或残余快速反应，以达到---赶硝的目的。20世纪90年代以来，溅射靶材及溅射技术的同步发展，---地满足了各种新型电子元器件发展的需求。例如，在半导体集成电路制造过程中，以电阻率较低的铜导体薄膜代替铝膜布线。

在被溅射的靶极（阴极）与阳极之间加一个正交磁场和电场，在高真空室中充入所需要的惰性气体（通常为ar气），磁铁在靶材料表面形成250～350高斯的磁场，同高压电场组成正交电磁场。